PHE13005,127 دیتاشیت

PHE13005,127

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PHE13005,127
حجم فایل 53.867 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت PHE13005,127-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: WeEn Semiconductors PHE13005,127
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 4A
  • Power Dissipation (Pd): 75W
  • Transition Frequency (fT): -
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 10@2A,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100uA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 400V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 300mV@4A,1A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: WeEn Semiconductors

محصولات مشابه